Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1361/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IRF6713STRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2880pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager6.156
IRF6714MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 166A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3890pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.484
IRF6714MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 166A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3890pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager5.490
IRF6715MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5340pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager7.830
IRF6715MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5340pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.034
IRF6716MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5150pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager4.824
IRF6716MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5150pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager8.838
IRF6717MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta), 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6750pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager8.226
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta), 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6750pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager182.220
IRF6718L2TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 61A (Ta), 270A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.3W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET L6 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric L6	Auf Lager5.364
IRF6718L2TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 61A (Ta), 270A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.3W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET L6 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric L6	Auf Lager8.496
IRF6720S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 17W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET S1 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric S1	Auf Lager6.696
IRF6720S2TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 17W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET S1 Paket / Fall: DirectFET™ Isometric S1	Auf Lager5.490
IRF6721STR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager2.538
IRF6721STRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager3.400
IRF6722MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager5.778
IRF6722MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager2.268
IRF6722STR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager8.136
IRF6722STRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager2.736
IRF6724MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4404pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.700
IRF6724MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4404pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager5.994
IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager7.902
IRF6725MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.520
IRF6726MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6140pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MT Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MT	Auf Lager3.078
IRF6726MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6140pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MT Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MT	Auf Lager36.258
IRF6727MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6190pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.322
IRF6727MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6190pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.916
IRF6728MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager6.480
IRF6728MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager6.840
IRF6729MTR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 190A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6030pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager8.190

«
‹
1
...
1358
1359
1360
1361 (current)
1362
1363
1364
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message