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IRF6620TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4130pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.394
IRF6620TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4130pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager33.000
IRF6621TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager5.382
IRF6621TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager7.614
IRF6621TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager3.636
IRF6622TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 34W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager4.806
IRF6622TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 34W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager4.968
IRF6623 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager3.384
IRF6623TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager4.068
IRF6623TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager7.092
IRF6623TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager37.458
IRF6626 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager4.824
IRF6626TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager5.652
IRF6626TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager5.904
IRF6626TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager2.826
IRF6628TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager4.518
IRF6628TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta), 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager4.698
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager5.904
IRF6629TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager2.682
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager5.274
IRF6631TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SQ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SQ	Auf Lager7.776
IRF6633ATR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MU Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MU	Auf Lager3.942
IRF6633ATRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MU Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MU	Auf Lager4.410
IRF6633TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager7.884
IRF6633TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager8.658
IRF6633TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager2.628
IRF6635 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5970pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager3.636
IRF6635TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5970pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager3.780
IRF6635TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5970pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager4.554
IRF6635TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5970pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager6.876

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