Transistoren

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FDMS86250 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta), 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager27.426
FDMS86252 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 16A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager100.980
FDMS86252L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 8-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager21.810
FDMS86255 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 8-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4480pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.394
FDMS86255ET150 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4480pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.966
FDMS86263P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3905pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.906
FDMS86300 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7082pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.730
FDMS86300DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7005pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager110.484
FDMS86310 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6290pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.254
FDMS86320 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2640pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.020
FDMS86322 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.446
FDMS86350 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10680pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager250.248
FDMS86350ET80 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 198A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8030pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager27.672
FDMS86368-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.138
FDMS86369-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 65A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2470pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 107W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.212
FDMS86380-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 50A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.192
FDMS86381-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER TRENCH MOSFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 866pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.128
FDMS86500DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7680pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.910
FDMS86500L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12530pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager253.626
FDMS86520 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.040
FDMS86520L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.5A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4615pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager51.786
FDMS86540 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6435pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.070
FDMS86550 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 8MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 155A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11530pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.902
FDMS86550ET60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 245A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8235pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.760
FDMS86568-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4335pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.046
FDMS86569-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.806
FDMS86580-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.698
FDMS86581 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.058
FDMS86581-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager89.976
FDMS8660AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5865pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.154

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