FDMS86250
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Teilenummer | FDMS86250 |
PNEDA Teilenummer | FDMS86250 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 27.426 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS86250 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FDMS86250 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FDMS86250 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.7A (Ta), 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2330pF @ 75V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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