Speicher-ICs

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IS61VPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager4.914
IS61VPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.418
IS61VPS102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.690
IS61VPS102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.924
IS61VPS102418A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.852
IS61VPS102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager8.046
IS61VPS102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager8.568
IS61VPS102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.186
IS61VPS102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager6.246
IS61VPS102418A-250TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager188
IS61VPS102418A-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.318
IS61VPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.988
IS61VPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.536
IS61VPS102418B-250TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager5.760
IS61VPS102418B-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.232
IS61VPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.924
IS61VPS102436A-166TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.410
IS61VPS102436B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 166MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager8.118
IS61VPS102436B-166B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 166MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager8.514
IS61VPS102436B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager5.868
IS61VPS102436B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager4.662
IS61VPS102436B-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.968
IS61VPS102436B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager5.616
IS61VPS204836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.860
IS61VPS204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager4.644
IS61VPS204836B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.416
IS61VPS204836B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager6.498
IS61VPS204836B-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager2.322
IS61VPS204836B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager2.232
IS61VPS204836B-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.8ns Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager7.254

IS61VPD51236A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager4.914

IS61VPS102418A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.418

IS61VPS102418A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.690

IS61VPS102418A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.924

IS61VPS102418A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.852

IS61VPS102418A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager8.046

IS61VPS102418A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager8.568

IS61VPS102418A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.186

IS61VPS102418A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager6.246

IS61VPS102418A-250TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager188

IS61VPS102418A-250TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.318

IS61VPS102418B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.988

IS61VPS102418B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.536

IS61VPS102418B-250TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager5.760

IS61VPS102418B-250TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.232

IS61VPS102436A-166TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager3.924

IS61VPS102436A-166TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.410

IS61VPS102436B-166B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager8.118

IS61VPS102436B-166B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager8.514

IS61VPS102436B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager5.868

IS61VPS102436B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager4.662

IS61VPS102436B-250TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.968

IS61VPS102436B-250TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager5.616

IS61VPS204836B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.860

IS61VPS204836B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager4.644

IS61VPS204836B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.416

IS61VPS204836B-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager6.498

IS61VPS204836B-250B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager2.322

IS61VPS204836B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager2.232

IS61VPS204836B-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.8ns
Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager7.254

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