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IS61VPS102418B-200TQLI

IS61VPS102418B-200TQLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61VPS102418B-200TQLI
PNEDA Teilenummer IS61VPS102418B-200TQLI
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 200MHZ
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61VPS102418B-200TQLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61VPS102418B-200TQLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61VPS102418B-200TQLI, IS61VPS102418B-200TQLI Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 1.585,11 KB)
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IS61VPS102418B-200TQLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-LQFP (14x20)

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

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Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

48-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

48-PDIP

MT46V64M8P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-PLCC (11.43x13.97)

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