Speicher-ICs

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AS4C32M16MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-FBGA (8x8)	Auf Lager2.952
AS4C32M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-FBGA (8x8)	Auf Lager5.202
AS4C32M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-FBGA (8x8)	Auf Lager8.712
AS4C32M16SA-7BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-FBGA (8x8)	Auf Lager17.916
AS4C32M16SA-7BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-FBGA (8x8)	Auf Lager7.704
AS4C32M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.992
AS4C32M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.266
AS4C32M16SA-7TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.064
AS4C32M16SA-7TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.876
AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.362
AS4C32M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.780
AS4C32M16SB-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager23.592
AS4C32M16SB-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager13.920
AS4C32M16SB-7TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager172.613
AS4C32M16SB-7TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager12.060
AS4C32M16SC-7TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 512M - C DIE NEW - SINGLE DIE 32 Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 17ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.144
AS4C32M16SC-7TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher 512M - C DIE NEW 32M X 16 3.3V 1 Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 17ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.474
AS4C32M16SM-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.308
AS4C32M16SM-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.904
AS4C32M16SM-7TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager565
AS4C32M16SM-7TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.762
AS4C32M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager6.354
AS4C32M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager5.220
AS4C32M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager2.628
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager7.722
AS4C32M32MD1A-5BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager6.756
AS4C32M32MD1A-5BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager3.402
AS4C32M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager5.670
AS4C32M32MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager5.940
AS4C32M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager5.994

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