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AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C32M16SB-6TIN
PNEDA Teilenummer AS4C32M16SB-6TIN
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-6TIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C32M16SB-6TIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C32M16SB-6TIN, AS4C32M16SB-6TIN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 1.267,1 KB)
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AS4C32M16SB-6TIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Montagetyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

120ns

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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