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Speicher-ICs

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70V639S15PRF8
70V639S15PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 128-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)
Auf Lager8.352
70V657S10BC
70V657S10BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager3.096
70V657S10BC8
70V657S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager2.772
70V657S10BCG
70V657S10BCG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager4.122
70V657S10BFG
70V657S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)
Auf Lager6.072
70V657S10BFG8
70V657S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)
Auf Lager3.636
70V657S10DR
70V657S10DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager3.780
70V657S10DRG
70V657S10DRG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager3.618
70V657S10DRG8
70V657S10DRG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager7.200
70V657S12BC
70V657S12BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager6.822
70V657S12BC8
70V657S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager7.578
70V657S12BCGI
70V657S12BCGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager7.758
70V657S12BCI
70V657S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager7.542
70V657S12BCI8
70V657S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager5.238
70V657S12BF
70V657S12BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager8.712
70V657S12BF8
70V657S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager4.644
70V657S12BFGI
70V657S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)
Auf Lager8.910
70V657S12BFGI8
70V657S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)
Auf Lager2.970
70V657S12BFI
70V657S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager4.320
70V657S12BFI8
70V657S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager8.910
70V657S12DR
70V657S12DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager7.902
70V657S12DRGI
70V657S12DRGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager6.498
70V657S12DRI
70V657S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager2.826
70V657S15BC
70V657S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager7.434
70V657S15BC8
70V657S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager7.722
70V657S15BF
70V657S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager5.058
70V657S15BF8
70V657S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)
Auf Lager7.794
70V657S15DR
70V657S15DR

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 15ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 208-BFQFP
  • Lieferantengerätepaket: 208-PQFP (28x28)
Auf Lager3.780
70V658S10BC
70V658S10BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager4.176
70V658S10BC8
70V658S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 256-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)
Auf Lager6.534