Speicher-ICs

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70V631S12PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager4.896
70V631S15BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.604
70V631S15BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager5.850
70V631S15BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.388
70V631S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.448
70V631S15PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager3.834
70V631S15PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager6.948
70V631S15PRFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager7.488
70V631S15PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.232
70V639S10BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.020
70V639S10BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.920
70V639S10PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager8.568
70V639S10PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager7.650
70V639S10PRFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.034
70V639S10PRFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager3.078
70V639S12BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager4.626
70V639S12BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager3.526
70V639S12BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.298
70V639S12BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager6.840
70V639S12BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager6.174
70V639S12BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)	Auf Lager3.598
70V639S12BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager3.978
70V639S12BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.014
70V639S12PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager7.218
70V639S12PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager8.658
70V639S12PRFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager7.272
70V639S12PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager4.374
70V639S15BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.004
70V639S15BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.830
70V639S15PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager4.554

70V631S12PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager4.896

70V631S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.604

70V631S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager5.850

70V631S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.388

70V631S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.448

70V631S15PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager3.834

70V631S15PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager6.948

70V631S15PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager7.488

70V631S15PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.232

70V639S10BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.020

70V639S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.920

70V639S10PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager8.568

70V639S10PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager7.650

70V639S10PRFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.034

70V639S10PRFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager3.078

70V639S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager4.626

70V639S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager3.526

70V639S12BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.298

70V639S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager6.840

70V639S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager6.174

70V639S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-FPBGA (15x15)

Auf Lager3.598

70V639S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager3.978

70V639S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.014

70V639S12PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager7.218

70V639S12PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager8.658

70V639S12PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager7.272

70V639S12PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 12ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager4.374

70V639S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.004

70V639S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.830

70V639S15PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße: 2.25Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 15ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager4.554

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