Dioden & Gleichrichter

BAT 15-02LS E6327

Infineon Technologies

Dioden - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: -
• Paket / Fall: 0201 (0603 Metric)
• Lieferantengerätepaket: PG-TSSLP-2

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BAT1503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-76, SOD-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOD323-2

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BAT1504RE6152HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3

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BAT1504RE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3

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BAT1504WE6327BTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1504WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1505WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1505WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT15099E6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 2 Independent
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4

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BAT15099E6433HTMA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 2 Independent
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4

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BAT 15-099LRH E6327

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP-4-7

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 2 Independent
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: 4-XFDFN
• Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-4-7

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BAT15099RE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Bridge
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.5pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4

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BAT1704E6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3

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BAT1704WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1704WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1705E6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3

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BAT1705WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1705WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1706WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Anode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1706WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 1 Pair Common Anode
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BAT1707E6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - 2 Independent
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4

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BAT17,215

Nexperia

Dioden - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• Hersteller: Nexperia USA Inc.
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 30mA
• Kapazität @ Vr, F.: 1pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 100°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB

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BAT17,235

Nexperia

Dioden - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• Hersteller: Nexperia USA Inc.
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 30mA
• Kapazität @ Vr, F.: 1pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 100°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB

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BAT17E6327HTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 130mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• Verlustleistung (max.): 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3

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BAT18,215

NXP

Dioden - RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Diodentyp: Standard - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 35V
• Strom - max: 100mA
• Kapazität @ Vr, F.: 1pF @ 20V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)

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BAT18,235

NXP

Dioden - RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Diodentyp: Standard - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 35V
• Strom - max: 100mA
• Kapazität @ Vr, F.: 1pF @ 20V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• Verlustleistung (max.): -
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)

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BAT2402LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 4V
• Strom - max: 110mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.23pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: 0201 (0603 Metric)
• Lieferantengerätepaket: TSSLP-2-1

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BAT6202LE6327XTMA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSLP-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 40V
• Strom - max: 20mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SOD-882
• Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-2

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BAT6202LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 40V
• Strom - max: 20mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: 0201 (0603 Metric)
• Lieferantengerätepaket: TSSLP-2-1

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BAT 62-02W E6327

Infineon Technologies

Dioden - RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SCD80

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Schottky - Single
• Spannung - Peak Reverse (Max): 40V
• Strom - max: 20mA
• Kapazität @ Vr, F.: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• Widerstand @ If, F.: -
• Verlustleistung (max.): 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Paket / Fall: SC-80
• Lieferantengerätepaket: SCD-80

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