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BAT18,235

BAT18,235

Nur als Referenz

Teilenummer BAT18,235
PNEDA Teilenummer BAT18-235
Beschreibung RF DIODE STANDARD 35V TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAT18 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAT18,235
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
BAT18, BAT18 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 44,76 KB)
PDFBAT18 Datenblatt Cover
BAT18 Datenblatt Seite 2 BAT18 Datenblatt Seite 3 BAT18 Datenblatt Seite 4 BAT18 Datenblatt Seite 5 BAT18 Datenblatt Seite 6 BAT18 Datenblatt Seite 7

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BAT18 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
DiodentypStandard - Single
Spannung - Peak Reverse (Max)35V
Strom - max100mA
Kapazität @ Vr, F.1pF @ 20V, 1MHz
Widerstand @ If, F.700mOhm @ 5mA, 200MHz
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur125°C (TJ)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Broadcom Limited

Serie

-

Diodentyp

PIN - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

0.3pF @ 5V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Infineon Technologies

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Diodentyp

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Spannung - Peak Reverse (Max)

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Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.4pF @ 5V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 3 Independent

Spannung - Peak Reverse (Max)

15V

Strom - max

1A

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

12Ohm @ 5mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

MMBD352LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

7V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

JDV2S10FS(TPL3)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

10V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

3.4pF @ 2.5V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

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