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Renesas Electronics America Transistoren - IGBTs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - IGBTs - Single
HerstellerRenesas Electronics America
Datensätze 92
Seite 4/4
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
IGBT-Typ
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Leistung - max
Schaltenergie
Eingabetyp
Gate Charge
Td (ein / aus) bei 25 ° C.
Testbedingung
Reverse Recovery Time (trr)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Paket / Fall
Lieferantengerätepaket
RJH60T04DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
IGBT TH
5.436
-
Trench
600V
60A
180A
1.95V @ 15V, 30A
208.3W
-
Standard
87nC
54ns/136ns
300V, 30A, 10Ohm, 15V
100ns
150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247A
RJP65T54DPM-E0#T2
Renesas Electronics America
IGBT TRENCH TO-3FP
8.712
-
Trench
650V
60A
225A
1.68V @ 15V, 30A
63.5W
330µJ (on), 760µJ (off)
Standard
72nC
35ns/120ns
400V, 30A, 10Ohm, 15V
-
175°C (TJ)
Through Hole
TO-3PFM, SC-93-3
TO-3PF