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ZXMD63P02XTC

ZXMD63P02XTC

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMD63P02XTC
PNEDA Teilenummer ZXMD63P02XTC
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.632
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMD63P02XTC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMD63P02XTC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMD63P02XTC, ZXMD63P02XTC Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 738,91 KB)
PDFZXMD63P02XTC Datenblatt Cover
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ZXMD63P02XTC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 15V
Leistung - max1.04W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

SSM6P36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

DMP2060UFDB-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

881pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

DMN2215UDM-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 10V

Leistung - max

650mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

ALD210804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

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