ZDT6718TA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZDT6718TA |
| PNEDA Teilenummer | ZDT6718TA |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZDT6718TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZDT6718TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZDT6718TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A, 1.5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Frequenz - Übergang | 140MHz, 180MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-223-8 |
| Lieferantengerätepaket | SM8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 50mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
Hersteller Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 18-PDIP |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 3V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 450MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
