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XBS013P11R-G

XBS013P11R-G

Nur als Referenz

Teilenummer XBS013P11R-G
PNEDA Teilenummer XBS013P11R-G
Beschreibung SCHOTTKY BARRIER DIODE
Hersteller Torex Semiconductor Ltd
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Auf Lager 2.880
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

XBS013P11R-G Ressourcen

Marke Torex Semiconductor Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerXBS013P11R-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
XBS013P11R-G, XBS013P11R-G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 222,64 KB)
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XBS013P11R-G Technische Daten

HerstellerTorex Semiconductor Ltd
Serie*
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

155pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220-F2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

CD214A-B360R

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

250pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

2-SMD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

NSF8MT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

A197M

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

ESH3DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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