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W972GG8JB-18

W972GG8JB-18

Nur als Referenz

Teilenummer W972GG8JB-18
PNEDA Teilenummer W972GG8JB-18
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 3.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W972GG8JB-18 Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW972GG8JB-18
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W972GG8JB-18, W972GG8JB-18 Datenblatt (Total Pages: 87, Größe: 2.606,11 KB)
PDFW972GG8JB-3 TR Datenblatt Cover
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W972GG8JB-18 Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit350ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-WBGA (11x11.5)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

PCM (PRAM)

Technologie

PCM (PRAM)

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

350µs

Zugriffszeit

360µs

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO W

IDT71V3556S150BG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

MT46H1DAMA-DC

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

70V24L35J

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

84-PLCC (29.21x29.21)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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