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W632GG8MB-11

W632GG8MB-11

Nur als Referenz

Teilenummer W632GG8MB-11
PNEDA Teilenummer W632GG8MB-11
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 4.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

W632GG8MB-11 Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW632GG8MB-11
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W632GG8MB-11, W632GG8MB-11 Datenblatt (Total Pages: 160, Größe: 5.414,12 KB)
PDFW632GG8MB15I Datenblatt Cover
W632GG8MB15I Datenblatt Seite 2 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 3 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 4 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 5 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 6 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 7 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 8 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 9 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 10 W632GG8MB15I Datenblatt Seite 11

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W632GG8MB-11 Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-VFBGA
Lieferantengerätepaket78-VFBGA (10.5x8)

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Maxim Integrated

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-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256b (32 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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