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W631GG6KB-15

W631GG6KB-15

Nur als Referenz

Teilenummer W631GG6KB-15
PNEDA Teilenummer W631GG6KB-15
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
Hersteller Winbond Electronics
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Auf Lager 4.611
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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W631GG6KB-15 Ressourcen

Marke Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerW631GG6KB-15
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
W631GG6KB-15, W631GG6KB-15 Datenblatt (Total Pages: 159, Größe: 5.318,91 KB)
PDFW631GG6KB15J Datenblatt Cover
W631GG6KB15J Datenblatt Seite 2 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 3 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 4 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 5 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 6 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 7 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 8 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 9 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 10 W631GG6KB15J Datenblatt Seite 11

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W631GG6KB-15 Technische Daten

HerstellerWinbond Electronics
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-WBGA (9x13)

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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*

Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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