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EM6HD08EWUF-10H

EM6HD08EWUF-10H

Nur als Referenz

Teilenummer EM6HD08EWUF-10H
PNEDA Teilenummer EM6HD08EWUF-10H
Beschreibung 2GB 256MX8 DDR3
Hersteller Etron Technology, Inc.
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Auf Lager 7.110
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Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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EM6HD08EWUF-10H Ressourcen

Marke Etron Technology, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEM6HD08EWUF-10H
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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EM6HD08EWUF-10H Technische Daten

HerstellerEtron Technology, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (8x10.5)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

70V3589S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

IDT7164L20TP

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

IS25LD040-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x5)

IS42S16160D-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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