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VS-VSKT320-08PBF

VS-VSKT320-08PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKT320-08PBF
PNEDA Teilenummer VS-VSKT320-08PBF
Beschreibung THYRISTOR MAGN-A-PAK POWER MODUL
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-VSKT320-08PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKT320-08PBF
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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VS-VSKT320-08PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)320A
Current - On State (It (RMS)) (max.)710A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)9000A, 9420A
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMAGN-A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1220A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2625A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

25000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AC, B-PUK

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

51A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

80A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1150A, 1230A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

IRKH105/14A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

105A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

235A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1785A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 2)

VS-VSKH56/10

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1200A, 1256A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

IRKH27/12A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

27A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

60A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A, 420A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

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