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VS-VSKT250-20PBF

VS-VSKT250-20PBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-VSKT250-20PBF
PNEDA Teilenummer VS-VSKT250-20PBF
Beschreibung MODULE DIODE SCR 250A MAGN-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-VSKT250-20PBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-VSKT250-20PBF
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
VS-VSKT250-20PBF, VS-VSKT250-20PBF Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 270,18 KB)
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VS-VSKT250-20PBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - All SCRs
Anzahl der SCRs, Dioden2 SCRs
Spannung - Aus Zustand2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)250A
Current - On State (It (RMS)) (max.)555A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)3V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)8500A, 8900A
Current - Hold (Ih) (Max)500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMAGN-A-PAK

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-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

115A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

180A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1700A, 1800A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

T1601N36TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

3.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2700A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

2990A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

44000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

T720105504DN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

550A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

850A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9125A, 10000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AC, B-PUK

VS-VSKT162/16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

355A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4870A, 5100A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

TZ425N12KOFHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

510A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

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