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VS-HFA220FA120

VS-HFA220FA120

Nur als Referenz

Teilenummer VS-HFA220FA120
PNEDA Teilenummer VS-HFA220FA120
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 110A SOT227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.024
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-HFA220FA120 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-HFA220FA120
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
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VS-HFA220FA120 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieHEXFRED®
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)110A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.6V @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)58ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr75µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VB60100C-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

24A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

SR2040PT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (TO-3P)

UFT7260SM1D

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 35A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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