VS-GT75NP120N
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| Teilenummer | VS-GT75NP120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT75NP120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.154 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GT75NP120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT75NP120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GT75NP120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 446W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.08V @ 15V, 75A (Typ) |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.45nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Leistung - max 275W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 800µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 160A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Leistung - max 81W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 675pF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
