F3L75R12W1H3B27BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | F3L75R12W1H3B27BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | F3L75R12W1H3B27BOMA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 75A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | F3L75R12W1H3B27BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
F3L75R12W1H3B27BOMA1, F3L75R12W1H3B27BOMA1 Datenblatt
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F3L75R12W1H3B27BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45A |
| Leistung - max | 275W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1300A Leistung - max 9600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 800A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 100nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
