VS-ENQ030L120S
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| Teilenummer | VS-ENQ030L120S |
| PNEDA Teilenummer | VS-ENQ030L120S |
| Beschreibung | IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.550 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-ENQ030L120S Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-ENQ030L120S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-ENQ030L120S Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Three Level Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 61A |
| Leistung - max | 216W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 230µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.34nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | EMIPAK-1B |
| Lieferantengerätepaket | EMIPAK-1B |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
