VS-ENQ030L120S Datenblatt
VS-ENQ030L120S Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
VS-ENQ030L120S
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 61A Leistung - max 216W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 230µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.34nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall EMIPAK-1B Lieferantengerätepaket EMIPAK-1B |
