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VS-CPV364M4UPBF

VS-CPV364M4UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-CPV364M4UPBF
PNEDA Teilenummer VS-CPV364M4UPBF
Beschreibung MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.694
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-CPV364M4UPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-CPV364M4UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-CPV364M4UPBF, VS-CPV364M4UPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 250,19 KB)
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VS-CPV364M4UPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Leistung - max63W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.1nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-SIP (13 Leads), IMS-2
LieferantengerätepaketIMS-2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

12.2µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ2400R12HP4PHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3460A

Leistung - max

12500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 2.4kA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-IHMB130-2

VS-GB300TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

530A

Leistung - max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

25.3nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

APTGT300SK170D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

530A

Leistung - max

1470W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

8mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

CM100TU-12F

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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