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APTGF50DA120T1G

APTGF50DA120T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF50DA120T1G
PNEDA Teilenummer APTGF50DA120T1G
Beschreibung IGBT 1200V 75A 312W SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.466
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF50DA120T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF50DA120T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF50DA120T1G, APTGF50DA120T1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 480,97 KB)
PDFAPTGF50DA120T1G Datenblatt Cover
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APTGF50DA120T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

440A

Leistung - max

1800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP10R12W1T4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Leistung - max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF300R12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM75GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

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