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VS-CPV363M4UPBF

VS-CPV363M4UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-CPV363M4UPBF
PNEDA Teilenummer VS-CPV363M4UPBF
Beschreibung MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.110
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-CPV363M4UPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-CPV363M4UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-CPV363M4UPBF, VS-CPV363M4UPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 248,55 KB)
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  • VS-CPV363M4UPBF Distributor

VS-CPV363M4UPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)13A
Leistung - max36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 6.8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.1nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-SIP (13 Leads), IMS-2
LieferantengerätepaketIMS-2

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FD16001200R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Dual Brake Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

10500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

130nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS75R17KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Leistung - max

465W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Leistung - max

335W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 120A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOPLUS227™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS227™

FS500R17OE4DPBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

40nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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