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IXGE200N60B

IXGE200N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGE200N60B
PNEDA Teilenummer IXGE200N60B
Beschreibung IGBT 600V ISOPLUS227
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGE200N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGE200N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXGE200N60B, IXGE200N60B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 521,89 KB)
PDFIXGE200N60B Datenblatt Cover
IXGE200N60B Datenblatt Seite 2

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IXGE200N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Leistung - max416W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 120A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce11nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOPLUS227™
LieferantengerätepaketISOPLUS227™

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

430A

Leistung - max

935W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

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SP4

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

2900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

74nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM200DY-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

40nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF200U120DG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

275A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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SP6

Lieferantengerätepaket

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