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VS-CPV363M4KPBF

VS-CPV363M4KPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-CPV363M4KPBF
PNEDA Teilenummer VS-CPV363M4KPBF
Beschreibung MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-CPV363M4KPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-CPV363M4KPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-CPV363M4KPBF, VS-CPV363M4KPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 253,75 KB)
PDFVS-CPV363M4KPBF Datenblatt Cover
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VS-CPV363M4KPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Leistung - max36W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.74nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall19-SIP (13 Leads), IMS-2
LieferantengerätepaketIMS-2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

FAM65CR51DZ2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BSM200GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT200DH60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

CM300DY-24NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

70nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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