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VRF191

VRF191

Nur als Referenz

Teilenummer VRF191
PNEDA Teilenummer VRF191
Beschreibung MOSFET RF N-CH 100V 150W T11
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VRF191 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVRF191
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
VRF191, VRF191 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 115,16 KB)
PDFVRF191 Datenblatt Cover
VRF191 Datenblatt Seite 2 VRF191 Datenblatt Seite 3 VRF191 Datenblatt Seite 4

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VRF191 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz30MHz
Gewinn22dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)12A
Rauschzahl-
Stromtest250mA
Leistung - Leistung150W
Spannung - Nennspannung270V
Paket / FallT11
LieferantengerätepaketT11

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BLP8G27-10Z

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

110mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-HVSON (6x4)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.69GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

DFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

160mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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