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A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

Nur als Referenz

Teilenummer A3T19H455W23SR6
PNEDA Teilenummer A3T19H455W23SR6
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Hersteller NXP
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A3T19H455W23SR6 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA3T19H455W23SR6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A3T19H455W23SR6, A3T19H455W23SR6 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 383,66 KB)
PDFA3T19H455W23SR6 Datenblatt Cover
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A3T19H455W23SR6 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.93GHz ~ 1.99GHz
Gewinn16.4dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest540mA
Leistung - Leistung81W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallACP-1230S-4L2S
LieferantengerätepaketACP-1230S-4L2S

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

29.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

J309_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

450MHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

CE3514M4

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12.2dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.62dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-Super Mini Mold

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

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