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VKI75-06P1

VKI75-06P1

Nur als Referenz

Teilenummer VKI75-06P1
PNEDA Teilenummer VKI75-06P1
Beschreibung MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VKI75-06P1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVKI75-06P1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VKI75-06P1, VKI75-06P1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 201,7 KB)
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VKI75-06P1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationFull Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)69A
Leistung - max208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallECO-PAC2
LieferantengerätepaketECO-PAC2

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

290W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 55A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

FF150R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT100A1202G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

APTGF150A120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

961W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECONO2

Lieferantengerätepaket

-

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