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UPS835L/TR13

UPS835L/TR13

Nur als Referenz

Teilenummer UPS835L/TR13
PNEDA Teilenummer UPS835L-TR13
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 35V 8A POWERMITE3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.482
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPS835L/TR13 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPS835L/TR13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
UPS835L/TR13, UPS835L/TR13 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 51,8 KB)
PDFUPS835L/TR13 Datenblatt Cover
UPS835L/TR13 Datenblatt Seite 2

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UPS835L/TR13 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)35V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If510mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1.4mA @ 35V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowermite®3
LieferantengerätepaketPowermite 3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

12.5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SICR101200

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

640pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JANTXV1N5804

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SJPW-F6VR

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, J-Lead

Lieferantengerätepaket

SJP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

1N4148WL2-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

*

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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