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UCC37325DGNRG4

UCC37325DGNRG4

Nur als Referenz

Teilenummer UCC37325DGNRG4
PNEDA Teilenummer UCC37325DGNRG4
Beschreibung IC DUAL HS PWR FET DRIVER 8MSOP
Hersteller Texas Instruments
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Auf Lager 4.518
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UCC37325DGNRG4 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUCC37325DGNRG4
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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UCC37325DGNRG4 Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 4A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 15ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MSOP-PowerPad

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Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-QFN (3x3)

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.3V ~ 15.7V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

7A, 7A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

400ns, 400ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 60°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-SIP, 15 Leads

Lieferantengerätepaket

Module

ISL6596CRZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

HIP2122FRTBZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

3.7V, 7.93V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

9-TDFN (4x4)

E-L6571BD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 16.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

170mA, 270mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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