TSM6866SDCA RVG
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| Teilenummer | TSM6866SDCA RVG |
| PNEDA Teilenummer | TSM6866SDCA-RVG |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TSM6866SDCA RVG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TSM6866SDCA RVG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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TSM6866SDCA RVG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 8V |
| Leistung - max | 1.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Skyworks Solutions Inc. Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
