TPHR8504PL,L1Q

Nur als Referenz
Teilenummer | TPHR8504PL,L1Q |
PNEDA Teilenummer | TPHR8504PL-L1Q |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 39.402 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Apr 29 - Mai 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
TPHR8504PL Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | TPHR8504PL,L1Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TPHR8504PL,L1Q Datasheet
- where to find TPHR8504PL,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL,L1Q
- TPHR8504PL,L1Q PDF Datasheet
- TPHR8504PL,L1Q Stock
- TPHR8504PL,L1Q Pinout
- Datasheet TPHR8504PL,L1Q
- TPHR8504PL,L1Q Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TPHR8504PL,L1Q Price
- TPHR8504PL,L1Q Distributor
TPHR8504PL Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSIX-H |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (Max) +5V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 58W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3 Paket / Fall TO-204AE |
Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3465pF @ 380V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 357W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 51W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |