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TPCP8401(TE85L,F)

TPCP8401(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer TPCP8401(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer TPCP8401-TE85L-F
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCP8401(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPCP8401(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TPCP8401(TE85L, TPCP8401(TE85L Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 279,71 KB)
PDFTPCP8401(TE85L Datenblatt Cover
TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 2 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 3 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 4 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 5 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 6 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 7 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 8 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 9 TPCP8401(TE85L Datenblatt Seite 10

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TPCP8401(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V, 12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100mA, 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9.3pF @ 3V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketPS-8 (2.9x2.4)

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 20V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

163A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

492nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22400pF @ 25V

Leistung - max

1136W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23.6pF @ 10V

Leistung - max

285mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

380mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

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