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DMC4047LSD-13

DMC4047LSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC4047LSD-13
PNEDA Teilenummer DMC4047LSD-13
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC4047LSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC4047LSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC4047LSD-13, DMC4047LSD-13 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 357,26 KB)
PDFDMC4047LSD-13 Datenblatt Cover
DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 2 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 3 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 4 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 5 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 6 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 7 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 8 DMC4047LSD-13 Datenblatt Seite 9

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DMC4047LSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A, 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 20V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

850mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

48pF @ 15V, 50pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

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