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SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQ1539EH-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQ1539EH-T1_GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
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SQ1539EH-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQ1539EH-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQ1539EH-T1_GE3, SQ1539EH-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 307,28 KB)
PDFSQ1539EH-T1_GE3 Datenblatt Cover
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SQ1539EH-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

BUK9K6R2-40E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3281pF @ 25V

Leistung - max

68W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

SI4622DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2458pF @ 15V

Leistung - max

3.3W, 3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

VBH40-05B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

V2-PAK

Lieferantengerätepaket

V2-PAK

APTM10AM02FG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

495A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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