TPCP8003-H(TE85L,F
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| Teilenummer | TPCP8003-H(TE85L,F |
| PNEDA Teilenummer | TPCP8003-H-TE85L-F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.174 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPCP8003-H(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPCP8003-H(TE85L,F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
TPCP8003-H(TE85L, TPCP8003-H(TE85L Datenblatt
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TPCP8003-H(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 840mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PS-8 (2.9x2.4) |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PW-MINI Paket / Fall TO-243AA |
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