TPCP8003-H(TE85L Datenblatt
TPCP8003-H(TE85L Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
TPCP8003-H(TE85L,F
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 840mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PS-8 (2.9x2.4) Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
