TPCA8008-H(TE12LQM
Nur als Referenz
Teilenummer | TPCA8008-H(TE12LQM |
PNEDA Teilenummer | TPCA8008-H-TE12LQM |
Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.736 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
TPCA8008-H(TE12LQM Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TPCA8008-H(TE12LQM |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
TPCA8008-H(TE12LQM, TPCA8008-H(TE12LQM Datenblatt
(Total Pages: 7, Größe: 185,3 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TPCA8008-H(TE12LQM Datasheet
- where to find TPCA8008-H(TE12LQM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H(TE12LQM
- TPCA8008-H(TE12LQM PDF Datasheet
- TPCA8008-H(TE12LQM Stock
- TPCA8008-H(TE12LQM Pinout
- Datasheet TPCA8008-H(TE12LQM
- TPCA8008-H(TE12LQM Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TPCA8008-H(TE12LQM Price
- TPCA8008-H(TE12LQM Distributor
TPCA8008-H(TE12LQM Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8-FL Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2535pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 149W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie E FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P(N) Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |