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TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Nur als Referenz

Teilenummer TPC8208(TE12L,Q,M)
PNEDA Teilenummer TPC8208-TE12L-Q-M
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TPC8208(TE12L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC8208(TE12L,Q,M)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TPC8208(TE12L, TPC8208(TE12L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 224,48 KB)
PDFTPC8208(TE12L Datenblatt Cover
TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 2 TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 3 TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 4 TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 5 TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 6 TPC8208(TE12L Datenblatt Seite 7

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TPC8208(TE12L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 10V
Leistung - max450mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP (5.5x6.0)

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A, 700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

65.9pF @ 25V

Leistung - max

390mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Leistung - max

3.12W, 3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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