TP86R203NL,LQ
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| Teilenummer | TP86R203NL,LQ |
| PNEDA Teilenummer | TP86R203NL-LQ |
| Beschreibung | MOSFET N CH 30V 19A 8SOP |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.348 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TP86R203NL Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TP86R203NL,LQ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TP86R203NL Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3960pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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