PHB110NQ06LT,118
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Teilenummer | PHB110NQ06LT,118 |
PNEDA Teilenummer | PHB110NQ06LT-118 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
Hersteller | NXP |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.488 |
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PHB110NQ06LT Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | PHB110NQ06LT,118 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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PHB110NQ06LT Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3960pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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