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TMC1420-LA

TMC1420-LA

Nur als Referenz

Teilenummer TMC1420-LA
PNEDA Teilenummer TMC1420-LA
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN
Hersteller Trinamic Motion Control GmbH
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TMC1420-LA Ressourcen

Marke Trinamic Motion Control GmbH
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTMC1420-LA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TMC1420-LA, TMC1420-LA Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.062,27 KB)
PDFTMC1420-LA Datenblatt Cover
TMC1420-LA Datenblatt Seite 2 TMC1420-LA Datenblatt Seite 3 TMC1420-LA Datenblatt Seite 4 TMC1420-LA Datenblatt Seite 5 TMC1420-LA Datenblatt Seite 6 TMC1420-LA Datenblatt Seite 7 TMC1420-LA Datenblatt Seite 8 TMC1420-LA Datenblatt Seite 9 TMC1420-LA Datenblatt Seite 10 TMC1420-LA Datenblatt Seite 11

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TMC1420-LA Technische Daten

HerstellerTrinamic Motion Control GmbH
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.8A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs26.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 15V
Leistung - max3.57W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPQFN (5x6)

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC, 75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF, 3900pF @ 25V

Leistung - max

27W (Tc), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

SI6924AEDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

28V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

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