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STS4DPF30L

STS4DPF30L

Nur als Referenz

Teilenummer STS4DPF30L
PNEDA Teilenummer STS4DPF30L
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.660
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STS4DPF30L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS4DPF30L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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STS4DPF30L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

APTM50AM24SCG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

434nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

161pF @ 15V

Leistung - max

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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